凭借雄厚的工厂资源，三星第一个将TLC闪存投入了实用，并连续推出了840、840 EVO两代产品，都是物美价廉的代表。现在，第三代的“850 EVO”来了，而且第一次应用了3D V-NAND堆叠的TLC。



这种闪存规格从一诞生就争议不断，相比于单位的SLC、双位的MLC，三位的它成本更低，但是相对寿命短很多，性能也差一些。

虽说无论从理论还是实际上看，TLC应付日常应用都绰绰有余，但是用户对它的长期可靠性一直都没有放下心来。

特别是这段时间，iPhone 6部分也用了TLC闪存，结果出现了一些毛病，更是质疑声群起。在此之前，840 EVO、840先后出现了老数据读取掉速的问题，虽然三星极力否认和TLC有关，但实在没法让人信服。
另一方面，三星也是第一个玩起3D堆叠闪存技术的，都发展到了第二代。

850 EVO也是3D、TLC两种技术第一次结合在一起，堆了多达32层，能开出什么花呢？日本网站4Gamer抢先公布了对它的实际评测。



【850 EVO规格解析】

850 EVO仍是传统的SATA 6Gbps 2.5寸盘规格，6.8毫米超薄，容量分为120GB、250GB、500GB、1TB，搭配缓存256MB-1GB，安全技术支持AES 256-bit、TCG Opal 2.0，平均故障间隔时间150万小时，终生数据写入量75-150TB——此前210/250GB版只有44TB。

不过闪存颗粒的具体工艺暂时不详。

性能方面，持续读写最高都是540MB/s、520MB/s，随机读写则是最高94000-98000 IOPS、88000-90000 IOPS。2.5寸盘顶天也就是这样了，但是对于TLC来说已经很高很高，基本可以媲美MLC。
值得一提的是主控，120-500GB用的是最新一代MGX，据称优化了性能，特别是低容量下的随机性能。1TB的则是和上代相同的MEX，后者的功耗也略高一些。



从三星给出的数据看，同容量的850 EVO随机写入性能的确比840 EVO高很多，即便是同样主控的1TB版也更快了，队列深度1的时候都能加速21％，队列深度32的时候120GB版可以加速1.5倍！



840 EVO引入写入加速技术“TurboWrite”也延续了下来，它是通过将TLC模拟成高速的SLC来提升性能，现在号称更猛了，尤其是持续写入可以加快7-19％。



RAPID技术同样还在，简单地说是借助系统内存和CPU资源缓存频繁访问的数据，进行加速。详情可以参考此前的报道。
另外，质保时间也从3年提高到了5年，相信可以让大家更放心一些了。

【850 EVO 120GB实物拆解】

本次测试的是最小容量的，但是从价格、性价比方面看，这也是大多数用户首选的，因此更有实际意义。



850 EVO：表面颜色更深了



这是840 EVO



背面有型号、编号等信息



打开外壳大吃一惊，PCB居然这么小！这自然得益于如今闪存的高集成度



背面甚至基本是空的，只有一些电器元件



中间的S4LN062X01-Y030就是MGX主控，因为此前MEX主控的编号是S4LN045X01-8030。上边就是3D TLC闪存颗粒，编号K90KGY8S7C，单颗容量128GB。下边是缓存，256MB LPDDR3



背面有一个空焊位



三星固态硬盘管理工具Magician 4.5

【性能测试：PK 840 EVO】
测试平台配置如下：



测试项目不是很多，但也足以看清850 EVO的表现了，尤其是和上代840 EVO对比有多大的进步呢？



PCMark 8存储得分：基本没有任何不同，开启RAPID模式后增加了几十分，也只有1％。



PCMark 8存储带宽：进步神速啊，提升了几乎有60％。RAPID模式也有点效果，能进一步提升4-7％。



PCMark 8游戏载入速度：没任何变化，RAPID开关也无不同。



CDM持续读写速度：读取没变，写入疯了，300MB/s左右蹿升超过了510MB/s，达到了十分理想的水平。



CDM 512KB随机读写速度：读取反而还有所倒退，1000MB区块的写入倒是继续暴涨，提升了45％。



CDM 4KB随机读写速度：读取、写入都小有进步。



CDM 4KB 32队列深度随机读取速度： 读取提升了超过10％，1000MB区块的写入又一次暴涨，接近70％。



Iometer随机读写：太凶了，翻了一番还多。





HD Tune：两张图里看起来都是850 EVO，但是原文说第二张其实是840 EVO。主要是看看TurboWrite的效果。

【850 EVO：你值得拥有】

虽然还是TLC，不过这次850 EVO真的是很有诚意。3D堆叠技术的加入当然是最大亮点，它大大提高了存储密度，并进一步降低了成本，直接好处就是可以更便宜一些。

3D堆叠的长期可靠性还有待检验，但是考虑到此前是首先在服务器和数据中心领域使用的，应该更可靠才对。

另一点证据就是，质保从3年延长至5年，说明三星对V-NAND是很有信心的。

新的主控暂时还了解得不是很多，但提升写入性能的宣传不是白给的，配合TurboWrite、RAPID，新一代的随机写入有了明显的进步，已经堪比主流MLC，读取也有所进步。

如果你使用中的随机读写比较频繁，这一代会有明显改观。

最关键的价格暂时不详。此前美国电商给出的预订价大致在100、150、260、480-500美元，即便排除其中的水分也可以基本肯定会比840 EVO贵一些，要拉开档次的节奏，毕竟规格更强了，质保也更长了，但是只要别太离谱，还是很值得关注的。

凭借雄厚的工厂资源，三星第一个将TLC闪存投入了实用，并连续推出了840、840 EVO两代产品，都是物美价廉的代表。现在，第三代的“850 EVO”来了，而且第一次应用了3D V-NAND堆叠的TLC。



这种闪存规格从一诞生就争议不断，相比于单位的SLC、双位的MLC，三位的它成本更低，但是相对寿命短很多，性能也差一些。

虽说无论从理论还是实际上看，TLC应付日常应用都绰绰有余，但是用户对它的长期可靠性一直都没有放下心来。

特别是这段时间，iPhone 6部分也用了TLC闪存，结果出现了一些毛病，更是质疑声群起。在此之前，840 EVO、840先后出现了老数据读取掉速的问题，虽然三星极力否认和TLC有关，但实在没法让人信服。
另一方面，三星也是第一个玩起3D堆叠闪存技术的，都发展到了第二代。

850 EVO也是3D、TLC两种技术第一次结合在一起，堆了多达32层，能开出什么花呢？日本网站4Gamer抢先公布了对它的实际评测。



【850 EVO规格解析】

850 EVO仍是传统的SATA 6Gbps 2.5寸盘规格，6.8毫米超薄，容量分为120GB、250GB、500GB、1TB，搭配缓存256MB-1GB，安全技术支持AES 256-bit、TCG Opal 2.0，平均故障间隔时间150万小时，终生数据写入量75-150TB——此前210/250GB版只有44TB。

不过闪存颗粒的具体工艺暂时不详。

性能方面，持续读写最高都是540MB/s、520MB/s，随机读写则是最高94000-98000 IOPS、88000-90000 IOPS。2.5寸盘顶天也就是这样了，但是对于TLC来说已经很高很高，基本可以媲美MLC。
值得一提的是主控，120-500GB用的是最新一代MGX，据称优化了性能，特别是低容量下的随机性能。1TB的则是和上代相同的MEX，后者的功耗也略高一些。



从三星给出的数据看，同容量的850 EVO随机写入性能的确比840 EVO高很多，即便是同样主控的1TB版也更快了，队列深度1的时候都能加速21％，队列深度32的时候120GB版可以加速1.5倍！



840 EVO引入写入加速技术“TurboWrite”也延续了下来，它是通过将TLC模拟成高速的SLC来提升性能，现在号称更猛了，尤其是持续写入可以加快7-19％。



RAPID技术同样还在，简单地说是借助系统内存和CPU资源缓存频繁访问的数据，进行加速。详情可以参考此前的报道。
另外，质保时间也从3年提高到了5年，相信可以让大家更放心一些了。

【850 EVO 120GB实物拆解】

本次测试的是最小容量的，但是从价格、性价比方面看，这也是大多数用户首选的，因此更有实际意义。



850 EVO：表面颜色更深了



这是840 EVO



背面有型号、编号等信息



打开外壳大吃一惊，PCB居然这么小！这自然得益于如今闪存的高集成度



背面甚至基本是空的，只有一些电器元件



中间的S4LN062X01-Y030就是MGX主控，因为此前MEX主控的编号是S4LN045X01-8030。上边就是3D TLC闪存颗粒，编号K90KGY8S7C，单颗容量128GB。下边是缓存，256MB LPDDR3



背面有一个空焊位



三星固态硬盘管理工具Magician 4.5

【性能测试：PK 840 EVO】
测试平台配置如下：



测试项目不是很多，但也足以看清850 EVO的表现了，尤其是和上代840 EVO对比有多大的进步呢？



PCMark 8存储得分：基本没有任何不同，开启RAPID模式后增加了几十分，也只有1％。



PCMark 8存储带宽：进步神速啊，提升了几乎有60％。RAPID模式也有点效果，能进一步提升4-7％。



PCMark 8游戏载入速度：没任何变化，RAPID开关也无不同。



CDM持续读写速度：读取没变，写入疯了，300MB/s左右蹿升超过了510MB/s，达到了十分理想的水平。



CDM 512KB随机读写速度：读取反而还有所倒退，1000MB区块的写入倒是继续暴涨，提升了45％。



CDM 4KB随机读写速度：读取、写入都小有进步。



CDM 4KB 32队列深度随机读取速度： 读取提升了超过10％，1000MB区块的写入又一次暴涨，接近70％。



Iometer随机读写：太凶了，翻了一番还多。





HD Tune：两张图里看起来都是850 EVO，但是原文说第二张其实是840 EVO。主要是看看TurboWrite的效果。

【850 EVO：你值得拥有】

虽然还是TLC，不过这次850 EVO真的是很有诚意。3D堆叠技术的加入当然是最大亮点，它大大提高了存储密度，并进一步降低了成本，直接好处就是可以更便宜一些。

3D堆叠的长期可靠性还有待检验，但是考虑到此前是首先在服务器和数据中心领域使用的，应该更可靠才对。

另一点证据就是，质保从3年延长至5年，说明三星对V-NAND是很有信心的。

新的主控暂时还了解得不是很多，但提升写入性能的宣传不是白给的，配合TurboWrite、RAPID，新一代的随机写入有了明显的进步，已经堪比主流MLC，读取也有所进步。

如果你使用中的随机读写比较频繁，这一代会有明显改观。

最关键的价格暂时不详。此前美国电商给出的预订价大致在100、150、260、480-500美元，即便排除其中的水分也可以基本肯定会比840 EVO贵一些，要拉开档次的节奏，毕竟规格更强了，质保也更长了，但是只要别太离谱，还是很值得关注的。